IBM與三星共同開發(fā)VTFET芯片技術(shù)：手機(jī)充電一次續(xù)航2周，助力實(shí)現(xiàn)1nm以下制程

IT之家 12月13日消息，在加州舊金山舉辦的IEDM 2021國(guó)際電子元件會(huì)議中，IBM與三星共同公布了名為垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VTFET)的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)，該技術(shù)將晶體管以垂直方式堆疊，并且讓電流也改以垂直方式流通，借此讓晶體管數(shù)量密度再次提高之外，更大幅提高電源使用效率，并且突破目前在1nm制程設(shè)計(jì)面臨瓶頸。

相較傳統(tǒng)將晶體管以水平方式堆疊的設(shè)計(jì)，垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管將能增加晶體管數(shù)量堆疊密度，并且讓運(yùn)算速度提升兩倍，同時(shí)通過讓電流以垂直方式流通，也讓電力損耗降低85%（性能和續(xù)航不能同時(shí)兼顧）。

IBM和三星聲稱，該工藝有朝一日可能允許手機(jī)在一次充電的情況下使用一整個(gè)星期。他們說，這也可以使某些能源密集型的任務(wù)，包括加密工作，更加省電，從而減少對(duì)環(huán)境的影響。

IT之家了解到，目前IBM與三星尚未透露預(yù)計(jì)何時(shí)將垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)應(yīng)用在實(shí)際產(chǎn)品，但預(yù)期很快就會(huì)有進(jìn)一步消息。

不過，臺(tái)積電已經(jīng)在今年5月宣布與中國(guó)臺(tái)灣大學(xué)、麻省理工學(xué)院共同研究，通過鉍金屬特性突破1nm制程生產(chǎn)極限，讓制程技術(shù)下探至1nm以下。而英特爾日前也已經(jīng)公布其未來制程技術(shù)發(fā)展布局，除了現(xiàn)有納米(nm)等級(jí)制程設(shè)計(jì)，接下來也會(huì)開始布局埃米(?)等級(jí)制程技術(shù)，預(yù)計(jì)最快會(huì)在2024年進(jìn)入20A制程技術(shù)。